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Descripción Samsung MZ-V7P1T0. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 3500 MB/s, Velocidad de escritura: 2700 MB/s, Componente para: PC
Especificaciones Factor de forma de disco SSD: M.2 SDD, capacidad: 1000 GB Interfaz: PCI Express 3.0 Tipo de memoria: V-NAND MLC NVMe: Si Componente para: PC Velocidad de lectura: 3500 MB/s Velocidad de escritura: 2700 MB/s Tipo de flash NAND: MLC (Multi Level Cell) Versión NVMe: 1.3 Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES Tipo de controlador: Samsung Phoenix Carriles datos de interfaz PCI Express: x4 Soporte S.M.A.R.T.: Si Soporte TRIM: Si Tiempo medio entre fallos: 1500000 h Opal SSC 2.0: Si TCG Opal 2.0: Si Acorde RoHS: Si Voltaje de operación: 3,3 V Consumo de energía (lectura): 5,2 W Consumo de energía (escritura): 5,7 W Consumo de potencia DevSlp (modo sueño): 5 mW Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C Intervalo de temperatura de almacenaje: -45 - 85 °C Intervalo de humedad relativa para funcionamiento: 5 - 95% Intervalo de humedad relativa durante almacenaje: 5 - 95% Vibración no operativa: 20 G Golpes en funcionamiento: 1500 G Golpe (fuera de operación): 1500 G Ancho: 80,2 mm Profundidad: 22,1 mm Altura: 2,38 mm Color del producto: Negro Fecha de lanzamiento: 4/16/2018
Quick Hard, S.L. 2000-2022 Av. Monforte de Lemos, 103 Lateral ( Barrio del Pilar ) 28029 Madrid Tfno 91 294 51 05 Horario : Lunes a Viernes 10:30 a 14:00 y de 17:00 a 20:00
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